GaN-on-Si for vertical power devices - 准垂直结构器件用 Si 衬底厚膜外延片 - GaN 基电子材料 - 产品中心 - LOL外围下注-英雄联盟外围下注

英雄联盟外围下注

产品和服务中心

GaN-on-Si for vertical power devices 规格书下载

适用于准垂直结构SBD

尺寸 4-6英寸

厚度>5μm

μ＞800 cm2/Vs

Details of GaN-on-Si for vertical power devices

英雄联盟外围下注: LOL外围下注; 联系我们; 英雄联盟外围下注

产品中心: GaN 基电子材料; 外延生长和器件微加工代工服务

新闻中心: LOL外围下注; 媒体报道; 公告栏; 行业资讯

010-80490330

E-mail：sales@keunnamonae.com

地址：北京市顺义区文良街15号院1号楼3层A1区（顺创）

微信公众号

Copyright © LOL外围下注备案号：京ICP备2021006150号-1